撰稿人：李林佳 审稿人：陈必华
10月22日上午，华南先进光电子研究院副研究员田园在大学城校区理五栋二楼报告作了主题为《多铁纳米阵列制备、畴结构调控及相关物性探索》的学术报告。
多铁性材料在信息处理和存储方面有重要用途，如存储器、换能器、传感器、逻辑器件等。随着人们对低能耗、高速、高密度信息存储和处理器件需求日益增长，作为高密度信息存储媒介的低维纳米多铁性材料也受到越来越多关注。由于多铁性材料纳米结构的尺寸和表面效应对其畴结构影响显著，进而影响其电导、磁性、磁电耦合等诸多物理特性，也因此成为畴结构和性能调控的有力工具。尤其是最近在低维多铁纳米结构中发现了蕴含着丰富多彩的新颖物性(如畴壁电导等)的奇异拓扑畴结构，为建构新一代拓扑畴电子器件打开大门。此外，纳米多铁材料的尺寸效应还可影响其磁电耦合效应，改善电驱动磁翻转性能。由于低维纳米多铁性材料这些优异的特质，成为近年来多铁研究的热点。
本次报告由华南师范大学华南先进光电子研究生会举办，大学城校区物理与电信工程学院、信息光电子科技学院等师生参加了报告会。田国精彩演讲引起了大家的广泛思考。在场师生积极提问，展开热烈的学术问题讨论。
田国是华南师范大学特聘副研究员。2009-2019年于华南师范大学获得学士、博士学位，2017-2018年获得国家公派留学奖学金(CSC)赴麻省理工学院(MIT)材料科学与工程系联合培养。2019年7月由华南师范大学“青年英才”计划引进，入职于华南先进光电子研究院，研究方向为多铁性复合物薄膜及纳米结构、多铁异质结磁电耦合、纳米尺度铁电畴及新颖物性，包括畴壁电流、拓扑畴等。在ACS Nano, Advanced Functional Materials, National Science Review，Advanced Electronic Materials等学术刊物发表论文30余篇，其中多篇论文被选为封面文章发表。