10月29日下午，华南先进光电子研究院在大学城校园理五栋2楼报告厅举办了第十七届“勷勤论坛”华南先进光电子研究院分论坛之“从传统信息存储材料与器件到新一代存储器技术：铁电拓扑新原理存储材料与器件”讲座。本场讲座由华南先进光电子研究院二级教授、博士生导师、广东省珠江学者特聘教授、国家百千万人才工程专家高兴森教授主讲，2024级研究生许俊洁主持，全校各院系两百多名师生到场聆听报告。
图1高兴森教授介绍阻变存储
高兴森教授首先回顾了信息存储技术的演变历程。从古代的壁画、甲骨文到造纸和印刷技术，到近当代的打孔卡、磁存储、硬盘、软光盘和闪存，再到现代的芯片缓存（SRAM）、内存（DRAM）、固态硬盘（SSD）等，信息存储技术经历了从简单到复杂的发展过程。现代存储技术的重点在于存储读取一体的设计，其中铁电材料的物理性能尤为关键。此外，自旋电子学的发展为存储技术带来了新的可能性，如硬盘使用的磁性材料，以及晶体管MOSFET的结构和功能。
高兴森教授详细介绍了当今主流存储器，如动态随机存储器（DRAM）和闪存（Flash）等。随着摩尔定律逼近极限，传统的二维架构已经难以满足日益增长的存储需求，三维架构成为延续摩尔定律的一种方式。同时，高兴森教授指出了国产存储芯片的发展面临的一系列挑战，包括技术瓶颈和国际市场的竞争压力。在国产存储芯片的发展中，长江存储和合肥长鑫是两个重要的里程碑。然而，2020年华为被禁止采购和流片高端芯片，而国外高端设备对我国芯片生产进行卡脖子，这对国产存储芯片的发展构成了新的挑战。为解决卡脖子问题，还需在光刻、离子注入、镀膜机、光刻胶、靶材等关键技术，以及新材料与技术上发力。
图2高兴森教授讲解演变历程
高兴森教授还分析了未来信息存储技术的发展趋势。随着存储带宽与容量需求的迅猛增长，存储墙问题日益凸显，急需兼具高度、长寿、大容量、低功耗一体的创新材料技术。未来的趋势将是新旧技术的齐头并进，寻求发展。一方面传统技术通过三维叠层来提高器件密度，部分延续摩尔定律。一方面，还需要探索新兴材料技术，如铁电存储、磁内存、电阻式存储、磁电存储、类脑器件等。这些都将成为后摩尔时代推动信息存储技术发展的重要方向。 此外，还介绍了自己研究小组提出基于铁电极化拓扑畴的存储器新原理，并验证其高速、长寿、低能耗的优异存储性能，为未来高性能存储器提供一种新方案。
图3同学们认真听讲
在讲座的最后，高兴森教授引用“数风流人物，还看今朝”鼓励同学们认真学习，未来在各自的领域有所建树。
报告过后，同学们针对本次讲座的主题对高兴森教授提出了许多问题，高兴森教授都一一进行了解答，让大家对此次讲座有了更深层次的理解。
图4同学提问
图5同学提问
图6讲座现场大合影
撰稿：彭 程
初审：王 培
朱浩荣
复审：高兴森
刘佳鑫
终审：沈强旺